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第一性原理研究Ba3(PS4)2,YPS4,Pb3(PS4)2和BiPS4的電子結(jié)構(gòu)與雙折射性質(zhì)

電子元件與材料 頁數(shù): 9 2024-10-05
摘要: 基于密度泛函理論對P-S配位四面體與四種不同陽離子構(gòu)成的金屬硫代磷酸鹽Ba3(PS4)2、YPS4、Pb3(PS4)2和BiPS4的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的理論機制進行分析。Ba3(PS4)2和Pb3(PS4)2為間接帶隙,帶隙分別為2.074和2.271eV,YPS4和BiPS4為直接帶隙,帶隙分別為2.105和1.534eV。四種化合物在價帶頂都... (共9頁)

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