高溫高應(yīng)變下Cu/Ta界面擴(kuò)散行為的分子動(dòng)力學(xué)模擬

摘要： 采用銅互連的三維集成技術(shù)是提高微電子器件性能的一種很有前景的方法。然而,由于銅易擴(kuò)散到硅電子器件中,導(dǎo)致其性能降低甚至失效,而鉭(Ta)憑借穩(wěn)定的化學(xué)性能常被作為阻擋層應(yīng)用在工程中。為探究Cu/Ta體系的擴(kuò)散行為,采用分子動(dòng)力學(xué)方法,分別研究了溫度和應(yīng)變耦合作用下對(duì)Cu/Ta體系擴(kuò)散的影響,通過對(duì)單晶結(jié)構(gòu)和多晶結(jié)構(gòu)的分析,厘清了兩者擴(kuò)散機(jī)理。在溫度作用下,經(jīng)過10ns的保溫,僅... （共10頁）