太赫茲波化合物半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展

摘要： 繼微波、毫米波技術(shù)之后,太赫茲(THz)波技術(shù)已被證實(shí)在下一代探測(cè)與通信領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。作為微波、毫米波芯片襯底材料主流的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,正逐漸成為太赫茲單片集成電路(TMIC)材料科學(xué)的研究熱點(diǎn)。本文介紹了以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)為代表的化合物半導(dǎo)體材料在TMIC制造領(lǐng)域的研究與應(yīng)用進(jìn)展,分析了國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。 （共14頁(yè)）