基于GOOSE-VMD的GaN HEMT器件應(yīng)力波檢測與分析

摘要： 第三代功率半導(dǎo)體器件—氮化鎵高電子遷移率晶體管器件(GaN HEMT)以其耐壓耐溫的優(yōu)異特性在電力電子與通訊電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。GaN HEMT器件通常工作在高溫大功率等嚴(yán)苛的外部條件下，為了避免其突然失效對電力電子設(shè)備的正常運行產(chǎn)生影響，對其進(jìn)行主動實時的狀態(tài)檢測有著極其重要的意義。通過在不同溫度和漏源電壓條件下設(shè)計并進(jìn)行重復(fù)性實驗，提取分析GaN HEMT器件開通和關(guān)斷瞬間產(chǎn)... （共10頁）