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雙膜層ITO/SiO2薄膜制備及其膜電阻均勻性研究

表面技術(shù) 頁(yè)數(shù)： 9 2024-12-25
摘要： 目的 通過(guò)雙膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制備ITO/SiO2薄膜，研究了靶面磁場(chǎng)強(qiáng)度、鍍膜工件移動(dòng)速度、鍍膜功率對(duì)ITO/SiO2薄膜膜電阻均勻性的影響，并研究了優(yōu)化條件制備的ITO/SiO2薄膜物相、形貌和結(jié)構(gòu)，并通過(guò)元素分布分析探討了SiO2薄膜的作用。方法 利用磁控濺射法在TN玻璃基板上沉積生成SiO2薄膜，然后再沉積氧化銦錫（ITO）薄膜，制備ITO/SiO2薄膜樣品。利用... （共9頁(yè)）

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