一種可重構(gòu)異構(gòu)內(nèi)存架構(gòu)和控制器
電子學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 14 2024-09-27
摘要: 融合傳統(tǒng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)與新型非易失性內(nèi)存(NonVolatile Memory,NVM)可構(gòu)建平行架構(gòu)或?qū)哟渭軜?gòu)的異構(gòu)內(nèi)存系統(tǒng).平行架構(gòu)的異構(gòu)內(nèi)存系統(tǒng)往往需要通過(guò)頁(yè)遷移技術(shù)把熱點(diǎn)數(shù)據(jù)從NVM遷移到DRAM以提高訪存性能,然而在操作系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)熱頁(yè)監(jiān)測(cè)和遷移會(huì)帶來(lái)巨大的軟件性能開銷.硬件實(shí)現(xiàn)的層次架構(gòu)由于增加... (共14頁(yè))