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基于原補碼實現(xiàn)的位串行SRAM存內(nèi)計算

北京理工大學學報 頁數(shù): 10 2024-10-15
摘要: 針對目前大多數(shù)存內(nèi)計算無法獨立處理非卷積計算的問題,提出了一種將轉(zhuǎn)置8T單元與基于向量的位串行存內(nèi)運算相結(jié)合的通用混合型存內(nèi)計算.采用原碼一位乘、補碼加法和溢出激活處理,可支持任意位寬的整數(shù)/小數(shù)及正/負數(shù)的乘累加操作,也可單獨完成池化和激活操作,為從神經(jīng)網(wǎng)絡到信號處理等軟件算法的發(fā)展提供了必要的靈活性和可編程性,減少了數(shù)據(jù)在總線上的傳輸.提出的存內(nèi)計算在1.2 V和500 M... (共10頁)

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