非本征背照觸發(fā)平面型4H-SiC光導(dǎo)開(kāi)關(guān)性能研究（英文）
無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 7 2024-05-15
摘要： 光導(dǎo)開(kāi)關(guān)(PCSS)是脈沖高功率系統(tǒng)和微波技術(shù)應(yīng)用中的關(guān)鍵器件,減小碳化硅(SiC)光導(dǎo)開(kāi)關(guān)的損傷,延長(zhǎng)器件壽命是重要的研究方向。本工作在直徑4英寸、厚度500μm的高純半絕緣4H-SiC襯底上制備多種結(jié)構(gòu)的光導(dǎo)開(kāi)關(guān)器件,重點(diǎn)研究了導(dǎo)通電阻和損傷機(jī)制。1kV偏壓下,采用532nm、170mJ的脈沖激光背面照射觸發(fā)經(jīng)過(guò)950℃退火的Au/TiW/Ni電極體系的碳化硅光導(dǎo)開(kāi)關(guān),最小... （共7頁(yè)）
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