硅外延生長反應腔內(nèi)外延反應過程的數(shù)值仿真建模及實驗研究

摘要： 硅外延片是大規(guī)模集成電路、半導體器件等的基礎功能材料，是通過外延反應在單晶硅片上生長均勻的外延薄層。外延層的厚度和電阻率的均勻性控制是硅外延生長的關鍵技術難題，其生長質(zhì)量受反應腔室的結構與熱流場設計影響較大?；趩纹焦柰庋由L反應腔室的結構，建立了反應腔內(nèi)氣體輸運與外延反應的多物理場仿真模型，分析了腔室結構對熱場分布均勻性的影響規(guī)律。隨后通過數(shù)值仿真，研究了載氣流量、進氣梯度... （共10頁）