當(dāng)前位置:首頁 > 科技文檔 > 無線電子 > 正文

氮化鋁鎵基深紫外發(fā)光二極管的研究進展

激光與光電子學(xué)進展 頁數(shù): 16 2023-07-17
摘要: 目前的氮化鋁鎵(AlGaN)基深紫外發(fā)光二極管(LED)與已全面商業(yè)化的氮化物藍光LED相比,其外量子效率(EQE)仍舊處于較低水平。首先介紹了AlGaN基深紫外LED的發(fā)展現(xiàn)狀,并分析了導(dǎo)致EQE低的原因。然后再分別從載流子注入效率、載流子輻射復(fù)合效率和光提取效率三個方面闡述了近年來AlGaN基深紫外LED在提高EQE方向上的研究進展。最后探討了AlGaN基深紫外LED目前面... (共16頁)

開通會員,享受整站包年服務(wù)立即開通 >