基于高壓SiC MOSFET模塊橋式電路串?dāng)_抑制
電力電子技術(shù)
頁數(shù)： 4 2024-03-20
摘要： 碳化硅(SiC)器件開關(guān)速度快,在高壓條件下串?dāng)_現(xiàn)象明顯,串?dāng)_尖峰容易引起橋臂直通,損壞器件。此處基于橋式電路,考慮了SiC寄生參數(shù)的影響,分析了橋臂串?dāng)_現(xiàn)象的原因。提出了一種有源箝位的電路,可以有效抑制橋臂串?dāng)_尖峰,并且可以減小驅(qū)動(dòng)電阻,減小開關(guān)損耗。此處搭建了橋式電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái),通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方案的有效性。在相同電阻條件下可以減小62%串?dāng)_尖峰。 （共4頁）
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