大功率半導體激光器端面特性改善的研究
半導體光電
頁數: 5 2024-08-15
摘要: 針對大電流下前腔面不穩(wěn)定導致出現災變性光學損傷(COMD)的問題,提出一種雙區(qū)電極的半導體激光器,并對該結構激光器的COMD閾值、峰值功率、閾值電流、光譜穩(wěn)定性及翹曲效應進行研究。在相同工藝條件下測試了單一電極結構和雙區(qū)電極結構半導體激光器的COMD閾值、峰值功率、閾值電流、波長紅移速度等參數。結果表明:在同等工藝條件下,主增益區(qū)閾值電流為80 mA,閾值電流降低20%,在窗口... (共5頁)