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基于光刻膠修正技術的石英錐形側壁刻蝕工藝研究

半導體光電 頁數(shù): 6 2024-08-15
摘要: 基于光刻膠修正技術,采用兩步刻蝕法對石英錐形側壁的刻蝕工藝進行了研究。首先利用Ar, O2,CF4氣體對光刻膠刻蝕,將光刻膠的垂直側壁修改為錐形側壁。然后以此為掩膜實現(xiàn)光刻膠傾斜側壁向石英材料的轉移。兩步刻蝕在同一個刻蝕腔室內完成。詳細研究了光刻膠修正工藝中刻蝕氣體流量、刻蝕功率、溫度以及刻蝕時間等工藝參數(shù)對刻蝕速率、選擇比以及刻蝕形貌的影響。通過綜合優(yōu)化工藝制備出刻蝕面光... (共6頁)

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