高溫高斜率效率1060 nm單模半導(dǎo)體激光器

摘要： 1 060 nm半導(dǎo)體激光器在高能激光系統(tǒng)種子源、空間激光雷達(dá)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，受限于砷化鎵體系InGaAs量子阱材料大應(yīng)力，在1 060 nm波段激光器外延生長缺陷密度較高，且由于目前該波段激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計普遍采用窄波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，腔內(nèi)損耗和非輻射復(fù)合水平較高，激光器斜率效率較低，高溫特性較差。傳統(tǒng)InGaAs壓應(yīng)變量子阱勢壘高度較低加劇了激光器的高溫特性劣化。文章通過優(yōu)化激光器... （共4頁）