電子在自旋-軌道耦合調制下磁受限半導體納米結構中的傳輸時間及其自旋極化

摘要： 通過考慮構筑在半導體GaAs/Al_xGa_(1–x)As異質結上的磁受限半導體納米結構中的塞曼效應和自旋-軌道耦合,本文采用理論分析和數值計算相結合的方法研究了電子的傳輸時間與自旋極化.利用矩陣對角化和改進的轉移矩陣方法,數值求解電子的薛定諤方程;采用H.G. Winful理論求電子的居留時間,并計算自旋極化率.由于塞曼效應與自旋-軌道耦合,電子的居留時間明顯地與其自旋有關,... （共8頁）