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功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管靜電放電柵源電容解析模型的建立

物理學(xué)報(bào) 頁數(shù)： 14 2024-06-05
摘要： 在實(shí)際靜電放電測試時(shí),發(fā)現(xiàn)各種功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的靜電放電測試結(jié)果均呈現(xiàn)出正反向耐壓不對稱現(xiàn)象,而人體與器件接觸時(shí)的靜電放電過程是不區(qū)分正反向的.正反向耐壓差異較大對于功率MOSFET或作為靜電放電保護(hù)器件來說都是無法接受的,其造成器件失效的問題格外凸顯.本文通過建立SGT-MOSFET, VUMOSFET和VDMOS在靜電放電正反向電壓下的柵源... （共14頁）

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