濺射功率對(duì)InZnO薄膜晶體管電學(xué)性能的影響研究

摘要： 采用射頻磁控濺射法，在室溫下Si/SiO₂襯底上制備InZnO薄膜晶體管，并研究不同濺射功率（25,50,75和100 W）對(duì)InZnO薄膜晶體管電學(xué)性能的影響。XRD表征結(jié)果表明，不同濺射功率制備的InZnO薄膜均出現(xiàn)晶面為（002）面的多晶態(tài)結(jié)構(gòu)。通過電學(xué)特性研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)濺射功率為50 W時(shí)，電流的開關(guān)比為3×10~7，場(chǎng)效應(yīng)遷移率為14.8 cm~2V^-1s~(-... （共8頁）