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Si-C系
鐵合金

Si-C系圖片（共1張） :

硅-碳二組分體系。由Si-C二組分體系相圖知,體系中僅有SiC一個化合物生成。SiC的生成熱為51.9kJ/mol,密度為3.2g/cm3,熔點(蒸發(fā))在2450℃—2950C之間。由于SiC的熔點很高,硬度也很大,硅鐵電爐內經常存在這種碳化硅。1725℃時在液態(tài)硅中可溶（本文共 164 字 , 1 張圖） [閱讀本文] >>

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