當(dāng)前位置:首頁 > 百科知識 > 電子工程 > 正文

RDRAM

RDRAM(Rambus DRAM)是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同,它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時,因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式,無法保證與原有的制造工藝相兼容,而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM還必須要交納一定專利費用,再加上其本身制造成本,就導(dǎo)致了RDRAM從一問世就高昂的價格讓普通用戶無法接受。而同時期的DDR則能以較低的價格,不錯的性能,逐漸成為主流,雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持,但始終沒有成為主流。

  RDRAM的數(shù)據(jù)存儲位寬是16位,遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者,可以達(dá)到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),內(nèi)存帶寬能達(dá)到1.6Gbyte/s。

  普通的DRAM行緩沖器的信息在寫回存儲器后便不再保留,而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性,于是在進(jìn)行存儲器訪問時,如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù),則可利用,因而實現(xiàn)了高速訪問。另外其可把數(shù)據(jù)集中起來以分組的形式傳送,所以只要最初用24個時鐘,以后便可每1時鐘讀出1個字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長度可以達(dá)到256字節(jié)。

  直接型Rambus動態(tài)隨機存取存貯器(DRDRAM)提供2字節(jié)(16位)總線而不是DRAM的8位總線。以800百萬赫(一秒八億個周期)的隨機存取儲存器速度,最高數(shù)據(jù)傳輸率是一秒十六億個字節(jié)。直接型Rambus使用流水線流操作從隨機存取儲存器移動數(shù)據(jù)到比較靠近微處理器顯示器水平的緩沖存貯器。有八個操作可能是同時進(jìn)行的。Rambus被設(shè)計適合現(xiàn)有的主板標(biāo)準(zhǔn)。被插入主板連接之內(nèi)的成份被叫做Rambus嵌入式存貯器模數(shù)(RIMM)。它們能代替?zhèn)鹘y(tǒng)的雙重嵌入式存貯器模數(shù)。

  因為不能單條用必須成對使用。現(xiàn)已經(jīng)退出市場。DRDRAM的一個可替換的選擇是SyncLink DRAM(SDRAM)。


內(nèi)容來自百科網(wǎng)