FinFET

　　發(fā)明人

　　該項技術的發(fā)明人是加州大學伯克利分校的胡正明（Chenming Hu）教授。胡正明教授1968年在臺灣國立大學獲電子工程學士學位，1970年和1973年在伯克利大學獲得電子工程與計算機科學碩士和博士學位?，F為美國工程院院士。2000年憑借FinFET獲得美國國防部高級研究項目局最杰出技術成就獎（DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award）。他研究的BSIM模型已成為晶體管模型的唯一國際標準，培養(yǎng)了100多名學生，許多學生已經成為這個領域的大牛，曾獲Berkeley的最高教學獎；于2001~2004年擔任臺積電的CTO。

英特爾公布的FinFET的電子顯微鏡照片

　　工作原理

　　閘長已可小于25納米，未來預期可以進一步縮小至9納米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場效晶體管 (Field-Effect Transistor；FET)的一項創(chuàng)新設計。在傳統晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。

　　發(fā)展狀態(tài)

　　在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點的工藝上。從Intel Core i7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術。由于FinFET具有功耗低，面積小的優(yōu)點，臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）等主要半導體代工已經開始計劃推出自己的FinFET晶體管，為未來的移動處理器等提供更快，更省電的處理器。從2012年起，FinFET已經開始向20納米節(jié)點和14納米節(jié)點推進。